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2N6299SMD05

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件:33.33 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N6292

7.0 A,70 V,NPN 双极功率晶体管

The Power 7A 70 VBipolar NPN Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. • DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes hFE = 30-150 @ IC hFE = 3.0 Adc 2N6111, 2N6288 hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc - All Devices\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) 2N6111, 2N6288 VCEO(sus) = 50 Vdc (Min) - 2N6109 VCEO(sus) = 70 Vdc (Min) - 2N6107, 2N6292\n• High C;

ONSEMI

安森美半导体

2N6291

Trans GP BJT NPN 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-213AA

NJS

新泽西半导体

2N6292

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 70V 7A TO220

ONSEMI

安森美半导体

2N6292G

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 70V 7A TO220

ONSEMI

安森美半导体

2N6294

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N629

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    AL100,AL101,AUY21,2N1550,2N1554,2N1558,2N2292,2N2293,3AD57B,

  • 最大耗散功率:

    94W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    94

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    4(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    40000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    7A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    30V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    3.5@3A@7AV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    40V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

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更多2N629供应商 更新时间2026-4-17 16:30:00