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2N6274	文件：64.39 Kbytes Page：2 Pages	PNP POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/514 文件：64.39 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6274	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS NPN SILICON High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector Emitter Sustaining — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6274 = 120 Vdc (Min) — 2N62 文件：169.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6274	文件：263.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Switching Speed • High DC Current Gain- : hFE= 30-120@ IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 20A • Complement to Type 2N6377 APPLICATIONS • Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit ap 文件：263.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6275	文件：248.59 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：248.59 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6275	文件：191.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN POWER TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：191.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6275	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS NPN SILICON High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector Emitter Sustaining — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6274 = 120 Vdc (Min) — 2N62 文件：169.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6275	文件：263.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Switching Speed • High DC Current Gain- : hFE= 30-120@ IC= 20A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 20A • Complement to Type 2N6378 APPLICATIONS • Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications. 文件：263.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6276	文件：191.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN POWER TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：191.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6277	文件：248.59 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：248.59 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6277	文件：191.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN POWER TRANSISTORS NPN POWER TRANSISTORS 50 AMP SWITCHING • 25 W. Continuous Power • VCEO(sus) to 150 V. 文件：191.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N627
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AL100,AL101,AUY21,2N1549,2N1553,2N1557,2N2288,2N2289,2N2290,2N2291,2N2292,2N2293,3AD57A,
最大耗散功率：
94W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
10
wtest：
94

技术参数

Maximum Transition Frequency：
4(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
3.5@3A@7AV
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N627	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2N627	MOTOROLA	24+	CAN3	1000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市利加科技有限公司	2N6274	MOTOROLA/SSI	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2N6276	MOT	23+	TO-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2N6274	ON	24+	TO-3	5000	全现原装公司现货	询价
上海金庆电子技术有限公司	2N6274	STC	新		6	全新原装货期两周	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2N6274	MOT	25+23+	TO-3	20915	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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深圳市昊创电子有限公司	2N6277	ISC	专业铁帽	TO-3	193	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价

更多2N627供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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