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2N6055	文件：113.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications 文件：113.56 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6056	文件：113.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications 文件：113.56 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6056	文件：132.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications 文件：132.6 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6056	文件：245.45 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-80 VOLTS 75, 100 WATTS 文件：245.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6056	文件：172.45 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,100W) 2N6053,2N6054 -> PNP 2N6055,2N6056 -> NPN DARLINGTOPN 8 AMPERE COMPLEMEMTARY SILICON TRANSISTORS 60 - 80 Volts 100 Watts 文件：172.45 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6056	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6056	文件：102.05 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington Silicon Power Transistor DARLINGTON 8 AMPERE SILICON POWER TRANSISTOR 80 VOLTS 100 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications. •High DC Current Gain — hFE= 3000 (Typ) @ IC= 4.0 Adc •Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA VCEO(sus)= 文件：102.05 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6057	文件：195.37 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS 文件：195.37 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6057	文件：495.5 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050, 2N6057 series types are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high gain amplifier and switching applications. 文件：495.5 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6057	文件：188.54 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS ...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications FEATURES: * Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors. * High DC Current Gain - 文件：188.54 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

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晶体管资料

型号：
2N6052
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV66A,BDW84C,BDX64B,BDX66B,BDX88C,MJ4032,TIP647,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2N6052
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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