2N6057分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N6057 |
| 参数属性 | 2N6057 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
188.54 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Mospec Semiconductor |
| 企业简称 |
MOSPEC【统懋】 |
| 中文名称 | 统懋半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 18:03:00 |
| 人工找货 | 2N6057价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N6057规格书详情
DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS
...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications
FEATURES:
* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.
* High DC Current Gain -
hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A
产品属性
- 产品编号：
2N6057
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 24mA， 6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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