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2N6029	文件：67.09 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5629, 2N6029 series devices are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high voltage and high power amplifier applications. 文件：67.09 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6029	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6029	文件：131.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N5629 2N5630 • High power dissipations APPLICATIONS • For high voltage and high power amplifier applications 文件：131.64 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6029	文件：110.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N5629 2N5630 APPLICATIONS • For high voltage and high power amplifier applications 文件：110.03 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6029	文件：158.78 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORSS PNP SILICON HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS 文件：158.78 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6029	文件：255.13 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-VOLTAGE - HIGH POWER TRANSISTORS 16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100-120-140 VOLTS 200 WATTS 文件：255.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6029	文件：112.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N5629 2N5630 • High power dissipations APPLICATIONS • For high voltage and high power amplifier applications 文件：112.82 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6029	文件：114.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：114.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6029	文件：110.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：110.03 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6029	文件：300 bytes Page：1 Pages	200W PNP High Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron

晶体管资料

型号：
2N6029
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
16A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD318,2N6377,2N6609,2SA1117,
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
1000100
atest：
16
wtest：
200

产品属性

产品编号：
2N6029
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

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