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2N6029中文资料200W PNP High Power BJT Transistor数据手册Digitron规格书

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厂商型号

2N6029

参数属性

2N6029 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

200W PNP High Power BJT Transistor

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

Digitron Digitron Semiconductors

数据手册

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更新时间

2025-9-22 17:21:00

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2N6029规格书详情

描述 Description

This BJT is packaged in TO-3 package.

Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

应用 Application

Bipolar Junction Transistors are used in power control and sensing applications in a diverse range of electronic circuits.

技术参数

  • 产品编号:

    2N6029

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

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