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2N5966数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5966

参数属性

2N5966 封装/外壳为TO-211MB,TO-63-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT NPN 100V 40A 3-Pin TO-63

封装外壳

TO-211MB,TO-63-4,接线柱

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:20:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N5966

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :220000mW

  • Maximum DC Collector Current

    :40A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :100V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1.2@1.5mA@15mAV

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

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