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2N5961中文资料NPN General Purpose Amplifier数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N5961

参数属性

2N5961 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3

功能描述

NPN General Purpose Amplifier
TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-9 15:04:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5961

  • 别名:

    2N5961三极管、2N5961晶体管、2N5961晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC174,BC182,BC190,BC546,3DG110C,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

    β>150

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.625

2N5961规格书详情

简介

2N5961属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2N5961晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5961

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.1A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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