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2N5740	文件：54.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：54.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5740	文件：131.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：131.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5740	文件：115.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：115.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5741	文件：111.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：111.77 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5741	文件：130.449 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max.)@ IC= -10A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：130.449 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5741	文件：130.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：130.65 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5741	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5742	文件：130.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：130.65 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5742	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5742	文件：111.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：111.77 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
2N5745
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/433
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 1A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 10A，2V
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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