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2N5660中文资料Trans GP BJT NPN 200V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66数据手册NJS规格书

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厂商型号

2N5660

参数属性

2N5660 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 2A TO66

功能描述

Trans GP BJT NPN 200V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:11:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N5660

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :2000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :6V

  • Maximum DC Collector Current

    :2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :200V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.4@0.1A@1A|0.8@0.4A@2AV

  • Maximum Collector Base Voltage

    :250V

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

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