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2N5466	文件：112.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5467	文件：112.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：112.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5467	文件：11.1 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 文件：11.1 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5468	文件：11.07 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. 文件：11.07 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5468	文件：115.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：115.48 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5469	文件：11.07 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package 文件：11.07 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5469	文件：115.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：115.48 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5461	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号 JFET P 沟道 P 沟道耗尽 • Pb-Free Packages are Available*;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5462	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号 JFET P 沟道	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5462_D27Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	JFET P-CH 40V 0.35W TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N546
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,2N3053,2N4237,2N5321,3DK4A,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
30
htest：
4000100
atest：
0.8
wtest：
0.6

技术参数

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：
40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
4mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
1.8V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
7pF @ 15V
功率 - 最大值：
350mW
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92-3

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更多2N546供应商更新时间2026-4-17 15:08:00

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