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2N5460_15

P-CHANNEL JFET

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CENTRAL

2N5460G

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

2N5461

P-Channel JFETs

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

2N5461

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

2N5461G

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

2N5461RLRA

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

2N5461RLRAG

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

2N5462

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

文件:60.44 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5462

P-Channel JFETs

文件:50.33 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

2N5462G

JFET Amplifier P?묬hannel ??Depletion

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ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2N546

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,2N3053,2N4237,2N5321,3DK4A,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    30

  • htest:

    4000100

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    0.6

技术参数

  • 电压 - 击穿(V(BR)GSS):

    40V

  • 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):

    4mA @ 15V

  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):

    1.8V @ 1µA

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    7pF @ 15V

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

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TO-92
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更多2N546供应商 更新时间2026-4-17 15:08:00