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2N5296	文件：128.479 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT 文件：128.479 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5296	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
2N5297	文件：104.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：104.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5298	文件：104.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：104.6 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5298	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
2N5298	文件：76.53 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Transistor? 文件：76.53 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5292	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5293	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5294	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 70V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N5290	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

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晶体管资料

型号：
2N5296
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>0.8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243B,BD537,BD539A,BD949,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
800100
atest：
4
wtest：
36

技术参数

Maximum Transition Frequency：
0.8(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
36000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.1A@1AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N5296	TOSHIBA/东芝	25+	TO-220	45000	TOSHIBA/东芝全新现货2N5296即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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