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2N5294	文件：27.37 Kbytes Page：1 Pages	Chip Transistor [usha] SPEC SHEET 文件：27.37 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5294	文件：134.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.61 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5294	文件：133.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier and medium speed switching applications 文件：133.37 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5294	文件：92.85 Kbytes Page：1 Pages	TO-220 SILICON NPN POWER TRANSISTORS 文件：92.85 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5294	文件：103 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier and medium speed switching applications 文件：103 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5294	文件：349.43 Kbytes Page：4 Pages	NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Switching and Amplifier Applications 文件：349.43 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N5294	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
2N5294	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
2N5294	文件：133.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：133.37 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5294	文件：104.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：104.6 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2N5294
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>0.8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243B,BD537,BD539B,BD951,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
800100
atest：
4
wtest：
36

技术参数

Maximum Transition Frequency：
0.8(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
36000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
70V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.05A@0.5AV
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5294供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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