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2N4403TFR	文件：71.81 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasageneral-purposeamplifierandswitchforcollectorcurrentsto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G2N4403	文件：113.71 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G2N4403	文件：112.07 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H2N4403	文件：40.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4403isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4401 •HighPowerDissipation:625mWat25°C •HighDCCurrentGain:100-300at150mA •HighBreakdownVoltage:40VMin.	HSMC 华昕	HSMC
ST2N4403	文件：329.33 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST2N4403	文件：120.45 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
2N4403B
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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