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2N4401TAR	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	Marking：2N4401；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401TAR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401TF	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401TFR	文件：98.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401TFR	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G2N4401	文件：132.46 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N4401	文件：130.8 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N4401	文件：40.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4403 •HighPowerDissipation:625mWat25°C •HighDCCurrentGain:100-300at150mA •HighBreakdownVoltage:40VMin.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
ST2N4401	文件：87.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
T2N4401	文件：254.17 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerBipolarTransistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

产品属性

产品编号：
2N4401TAR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N4401TAR	onsemi(安森美)	24+	TO-92-3	2317	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	2N4401TAR	ON/安森美	2410+		80000	原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N4401TAR	Fairchild	24+	TO-92	7500		询价
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更多2N4401TAR供应商更新时间2025-7-23 15:29:00

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