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2N4401TAR	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401TF	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401TFR	文件：98.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401TFR	文件：661.16 Kbytes Page：10 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpower amplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G2N4401	文件：132.46 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N4401	文件：130.8 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N4401	文件：40.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4401isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4403 •HighPowerDissipation:625mWat25°C •HighDCCurrentGain:100-300at150mA •HighBreakdownVoltage:40VMin.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
ST2N4401	文件：87.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Generalpurposetransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PC(max)=625mW Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
T2N4401	文件：254.17 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerBipolarTransistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
2N4401TA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2N4401TAP	原装仙童	23+	TO-92	48000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多2N4401TA_Q供应商更新时间2025-5-29 11:09:00

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