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2N4401R

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Power dissipation

文件:801.27 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

2N4401RLRA

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件:122.5 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4401RLRAG

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN Silicon

文件:122.5 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4401RLRM

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN Silicon

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安森美半导体

2N4401RLRP

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN Silicon

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General Purpose Transistors NPN Silicon

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安森美半导体

2N4401RLRA

General Purpose Transistors

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General Purpose Transistors NPN Silicon

文件:131.15 Kbytes 页数:7 Pages

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安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    2N4401R

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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