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2N4400	文件：216.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS 文件：216.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4400	文件：110.28 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • General Purpose Amplifier Transistor 文件：110.28 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N4400	文件：218.61 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Features • NPN Silicon Epitaxial Transistor for Switching and Amplifier Applications 文件：218.61 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
2N4400	文件：87.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor General purpose transistor Collector Emitter Voltage: VCEO = 40 V Collector Dissipation: PC (max) = 625 mW On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 文件：87.65 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N4400	文件：1.40857 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N4400；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.40857 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N4400	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers & Switches Amplifiers & Switches Bipolar: General Purpose 文件：439.49 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N4400_V01	文件：1.40857 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.40857 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N4400-TA	文件：1.40857 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2N4400；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Amplifier Transistor 文件：1.40857 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N4401	文件：218.61 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Small Signal General Purpose Transistors (NPN) Features • NPN Silicon Epitaxial Transistor for Switching and Amplifier Applications 文件：218.61 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
2N4401	文件：52.62 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features • Complementary to 2N4403. • High Power Dissipation : 625 mW at 25°C • High DC Current Gain : 100-300 at 150mA • High Breakdown Voltage : 40 V Min. 文件：52.62 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS

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晶体管资料

型号：
2N4402
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC488,BC527,BC638,BC640,2N2906,2N2907,2N2906(A)2N2907(A),3CK9C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.625

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
50
hFEMax：
150
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.75
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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更多2N440供应商更新时间2025-8-11 11:50:00

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