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2N4231 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | |
2N4231 | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
2N4231 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
2N4231 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N4231 | 包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
POWER TRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | ||
Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD241,BD243A,BD535,BD539A,BD597,BD607,2N3054,3DD30A,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
50
- htest：
4000100
- atest：
3
- wtest：
35
产品属性
- 产品编号：
2N4231
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
55 |
询价 | |||||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
2500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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询价 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Central Semi |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ISC/固电 |
23+ |
TO-66 |
4000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
NES |
新 |
15 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
