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2N4012	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N4012	文件：102.11 Kbytes Page：1 Pages	HIGH-POWER SILICON N-P-N TRANSISTOR High-Power Silicon N-P-N Transistor 文件：102.11 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4013	文件：1.07571 Mbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：1.07571 Mbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4013	文件：209.62 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：209.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4013	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4014	文件：1.07571 Mbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：1.07571 Mbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4014	文件：209.62 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：209.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4014	文件：78.84 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH DESCRIPTION The 2N4014 is a silicon planar epitaxial transistor in TO-18 metal case. It is a high-voltage, high current switch used for memory applications requiring breakdown voltages up to 50 V and operating currents to 1 A. Fast switching times are assured because of the high minimum fT (300 M 文件：78.84 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N4014	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4015	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N4016
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
差分放大器射极输出（Dual）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
BFX11,2N3736,2N3737,3CK9D,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
D-52
vtest：
60
htest：
200000100
atest：
0.3
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N4016
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
管件
晶体管类型：
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 1mA，5V
功率 - 最大值：
600mW
频率 - 跃迁：
200MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：
TO-78-6
描述：
TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6

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更多2N401供应商更新时间2026-1-20 16:30:00

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