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2N4014	文件：1.07571 Mbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：1.07571 Mbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4014	文件：209.62 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：209.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4014	文件：78.84 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH DESCRIPTION The 2N4014 is a silicon planar epitaxial transistor in TO-18 metal case. It is a high-voltage, high current switch used for memory applications requiring breakdown voltages up to 50 V and operating currents to 1 A. Fast switching times are assured because of the high minimum fT (300 M 文件：78.84 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N4014	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4014	文件：686.63 Kbytes Page：6 Pages	NPN - General Purpose Transistor Die 文件：686.63 Kbytes 页数：6 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4014	文件：686.46 Kbytes Page：6 Pages	NPN - General Purpose Transistor Die 文件：686.46 Kbytes 页数：6 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4014	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N4014R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-18 Box	NJS	NJS
2N4014 PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V TO-18	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N4014
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N3737,3DG84C,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.36

技术参数

Case：
TO-18
Configuration/ Description：
NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
NPN
IC MAX：
500mA
PD MAX：
360mW
VCEO MAX：
50V
hFE MIN：
60
hFE MAX：
150
@VCE：
1V
VCE(SAT) MAX：
260mV
@IC：
100mA
@IB：
10mA
Cob MAX：
10pF
fT MIN：
300MHz

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