| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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SILICON NPN TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
SI NPN LO-PWR BJT | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
SILICON NPN TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
包装：散装 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 0.001A TO3 | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 10A TO-3 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：NPN POWER SILICON TRANSISTORS | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性质：
射频/高频放大 （HF）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
24V
- 最大电流允许值：
0.01A
- 最大工作频率：
30MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AG54A,
- 最大耗散功率：
0.08W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-36
- vtest：
24
- htest：
30000000
- atest：
.01
- wtest：
.08
详细参数
- 型号：
2N371
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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