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2N3741	文件：120 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(4A,25W) 文件：120 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3741	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3741	文件：184.32 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe area limits • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Suitable for use in as drivers, switches and medium-power amplifier and applications 文件：184.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3741	文件：200.23 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER PNP TRANSISTORS 文件：200.23 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3741	文件：115.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Excellent safe area limits • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Suitable for use in as drivers, switches and medium-power amplifier and applications 文件：115.76 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3741A	文件：62.52 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power PNP Transistors DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use 文件：62.52 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3741A	文件：86.26 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3740 series devices are silicon PNP power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for power amplifier and medium speed switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：86.26 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3741A	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3741A	文件：234.41 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER PNP TRANSISTORS 文件：234.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3741R	文件：148.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- hFE= 30-100@IC= -250mA • Wide Area of Safe Operation • Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.6 V(Max)@ IC = -1A • High Gain • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for use as drivers, switches and medium-power amplifier and genera 文件：148.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2N3700
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-8
vtest：
140
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N3700
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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