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2N3636	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 文件：57.89 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3636	文件：219.64 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON 文件：219.64 Kbytes 页数：6 Pages	boca 博卡	boca
2N3636	文件：252.72 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N3635 and 2N3637 Are PNP Silicon Transistros For High Voltage Switching and Low Power Amplifier. 文件：252.72 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N3636	文件：77.97 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SILICON PLANAR RF TRANSISTORS The 2N3636 and 2N3637 are PNP transistors mounted in TO-39 metal case. They are intended for high voltage switching and Low Power Amplifier. Compliance to RoHS 文件：77.97 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3636	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	Low Power Transistors Low Power Transistors PNP Silicon Features • MIL−PRF−19500/357 Qualified • Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC 文件：81.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3636	文件：15.35 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 文件：15.35 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3636	文件：233.24 Kbytes Page：5 Pages	RADIATION HARDENED 文件：233.24 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3636	文件：174.68 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：174.68 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3636	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 175V 1A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
2N3636	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
2N3636(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
175V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT19,BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,3CA3F,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>50
图片代号：
C-40
vtest：
175
htest：
150000100
atest：
1
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3636
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS PNP 175V 1A TO39

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