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2N3636	文件：219.64 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) GENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICON	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N3636	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636	文件：77.97 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SILICONPLANARRFTRANSISTORS The2N3636and2N3637arePNPtransistorsmountedinTO-39metalcase. TheyareintendedforhighvoltageswitchingandLowPowerAmplifier. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N3636	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	Low Power Transistors LowPowerTransistors PNPSilicon Features •MIL−PRF−19500/357Qualified •AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3636	文件：252.72 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS PNPSILICONPLANARRFTRANSISTORS 2N3635and2N3637ArePNPSiliconTransistrosForHighVoltageSwitchingandLowPowerAmplifier.	CDIL CDIL	CDIL
2N3636	文件：15.35 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3636	文件：233.24 Kbytes Page：5 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636	文件：174.68 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 175V 1A TO39	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N3636L	文件：81.68 Kbytes Page：6 Pages	Low Power Transistors LowPowerTransistors PNPSilicon Features •MIL−PRF−19500/357Qualified •AvailableasJAN,JANTX,JANTXVandJANHC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3636L	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636L	文件：233.24 Kbytes Page：5 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636L	文件：174.68 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636UB	文件：233.24 Kbytes Page：5 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636UB	文件：174.68 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3636UB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 175V 1A 3SMD	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N3636UB/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SMALL-SIGNAL BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JAN2N3636	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N3636L	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANS2N3636	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR PNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/357	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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晶体管资料

型号：
2N3636(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
175V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT19,BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,3CA3F,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>50
图片代号：
C-40
vtest：
175
htest：
150000100
atest：
1
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3636
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS PNP 175V 1A TO39

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N3636	Microchip Technology	23+	TO-205AD,TO-39-3 金属罐	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2N3636		04+	CAN	7000		询价
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更多2N3636供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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