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2N3636分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

2N3636

参数属性

2N3636 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 175V 1A TO39

功能描述

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

57.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Microsemi

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 14:14:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3636(S)

  • 别名:

    2N3636三极管、2N3636晶体管、2N3636晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    175V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT19,BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,3CA3F,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

    β>50

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

2N3636规格书详情

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/357

产品属性

  • 产品编号:

    2N3636

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS PNP 175V 1A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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