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2N3501CSM4	文件：17.89 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 文件：17.89 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501DCSM	文件：27.19 Kbytes Page：2 Pages	DUAL BIPOLAR NPN DEVICES 文件：27.19 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501L	文件：15.25 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 文件：15.25 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3501L	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：69.36 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3501L	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3501UB	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED 文件：111.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3502	文件：23 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：23 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3502	文件：101.72 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP LP HF BJT MANUFARURER 文件：101.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3502	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches 文件：777.48 Kbytes 页数：12 Pages	RAYTHEON 雷神	RAYTHEON
2N3503	文件：104.62 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP LP HF BJT MANUFACTURER 文件：104.62 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N35(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.008A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,ASY28,ASY29,2N194,2N1302,3BX31C,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
D-161
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.008
wtest：
0.05

技术参数

Tolerance of VBR(%)：
15
Impulse Breakdown Volts_100V/us(V)：
700
Impulse Breakdown Volts_1000V/us(V)：
900
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_1times(KA)：
20
Maximum Impulse Discharge Current(8/20us)_10times(KA)：
15
Size：
8.0*6.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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