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2N3502中文资料SEME-LAB数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N3502

功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件大小

23 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

SEME-LAB

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-24 15:22:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3502

  • 别名:

    2N3502三极管、2N3502晶体管、2N3502晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC161,BC303,BC304,BSV16,BSV82,BSW23,BSW40,2N2905,2N3468,2SA717,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.7W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.7

产品属性

  • 型号:

    2N3502

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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