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2N3439	文件：18.03 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTORS 文件：18.03 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3439	文件：57.72 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTORS 文件：57.72 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3439	文件：48.79 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS 文件：48.79 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N3439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor GP BJT NPN 3-Pin 350V, 1A, 800mW TO-39 Bag This family of 2N3439 through 2N3440, high-frequency, epitaxial planar NPN transistors have a low saturation voltage, and are military qualified up to the JANS level for high-reliability applications. These transistors are available in a TO-205AD (TO-39) ,no suffix, a TO-205AA (TO-5), L suffix and JEDEC registered 2N3439 through 2N3440 series.JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV, and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/368\nRoHS compliant versions available (commercial grade only)\nVCE(sat) = 0.5 V @ IC = 50 mA\nTurn-On time ton = 1.0 µs max @ IC = 20 mA, IB1 = 2.0 mA\nTurn-Off ti;	Microchip 微芯科技	Microchip
2N3439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Power Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3439	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 1A TO39	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N3439-40	文件：481.17 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTORS Hermetic TO39 Package High Voltage Ideally suited for drivers in high voltage low current inverters, switching and series regulators High Reliability Screening Options Available 文件：481.17 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
2N3439L	文件：59.84 Kbytes Page：2 Pages	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368 文件：59.84 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3439L	文件：312.36 Kbytes Page：6 Pages	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368 文件：312.36 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N3439_00	文件：48.79 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS 文件：48.79 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
2N3439(L,S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
450
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3439
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 4mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 20mA，10V
频率 - 跃迁：
15MHz
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39
描述：
TRANS NPN 350V 1A TO39

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