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2N3439中文资料Low Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N3439

参数属性

2N3439 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 1A TO39

功能描述

Low Power Transistor

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2N3439

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    15MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 1A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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