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2N339	文件：139.98 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS 文件：139.98 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3390	文件：25.65 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. 文件：25.65 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3390	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3390-94, 2N3391A are planar, passivated NPN silicon transistors design for use in general-purpose and high gain or driver applications. These types are supplied in JEDEC TO-98 package. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
2N3390	文件：70.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General PurposeAmplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. 文件：70.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3390A	文件：90.9 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 NPN General Purpose Amplifier 文件：90.9 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3390A	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3390-94, 2N3391A are planar, passivated NPN silicon transistors design for use in general-purpose and high gain or driver applications. These types are supplied in JEDEC TO-98 package. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
2N3391	文件：25.65 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. 文件：25.65 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3391	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN General PurposeAmplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. 文件：110.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3391	文件：70.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General PurposeAmplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. 文件：70.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3391A	文件：25.65 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. 文件：25.65 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
2N3391(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
160MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>250
图片代号：
A-20
vtest：
25
htest：
160000000
atest：
0.1
wtest：
0.36

技术参数

Maximum Transition Frequency：
120(Typ)MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳庞田科技有限公司	2N3391	NS	2023+环保现货	TO92	10	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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