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2N339	文件：25.65 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. 文件：25.65 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N339	文件：803.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICON TRANSISTORS SILICON TRANSISTORS 文件：803.47 Kbytes 页数：5 Pages	ASI	ASI
2N339	文件：139.98 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS 文件：139.98 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N339	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3390	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3390-94, 2N3391A are planar, passivated NPN silicon transistors design for use in general-purpose and high gain or driver applications. These types are supplied in JEDEC TO-98 package. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
2N3390	文件：70.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General PurposeAmplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. 文件：70.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3390	文件：25.65 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. 文件：25.65 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N3390A	文件：90.9 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 NPN General Purpose Amplifier 文件：90.9 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3390A	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRANSISTORS Silicon Transistors The GE/RCA 2N3390-94, 2N3391A are planar, passivated NPN silicon transistors design for use in general-purpose and high gain or driver applications. These types are supplied in JEDEC TO-98 package. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
2N3391	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN General PurposeAmplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. 文件：110.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N339
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
0.06A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC104,BC302,3DG180A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
55
htest：
999900
atest：
0.06
wtest：
1

技术参数

Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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