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2N327	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
2N3277	文件：240.26 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 The 2N3277 and 2N3278 are P channel PLANAE field effect transistors designed for use in high performance low-level circuit. Thes devices will find use where conversion to solid state circuit is desirable in cases that previously required vacuum tubes for high-impdeance and low-noise characteristic 文件：240.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3277	文件：240.26 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 The 2N3277 and 2N3278 are P channel PLANAE field effect transistors designed for use in high performance low-level circuit. Thes devices will find use where conversion to solid state circuit is desirable in cases that previously required vacuum tubes for high-impdeance and low-noise characteristic 文件：240.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3278	文件：240.26 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 The 2N3277 and 2N3278 are P channel PLANAE field effect transistors designed for use in high performance low-level circuit. Thes devices will find use where conversion to solid state circuit is desirable in cases that previously required vacuum tubes for high-impdeance and low-noise characteristic 文件：240.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N327A	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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晶体管资料

型号：
2N327
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC213,BC251,BC307,BC512,
最大耗散功率：
0.33W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.33

技术参数

Maximum Power Dissipation：
360mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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