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2N327A	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N327A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
2N3766	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-66	MOT 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	MOT
2N3772G	文件：0 bytes Page：0 Pages	原装封装	onsemi/安森美上传：深圳市品优时代科技有限公司	onsemi/安森美
2N3819	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	FAIRCHILD/仙童上传：深圳广友电子有限公司	FAIRCHILD/仙童

技术参数

Maximum Power Dissipation：
360mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N327A供应商更新时间2026-1-7 13:30:00

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