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2N3012

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3012CSM

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3013

NPN HS MED PWR SWITCH

ONSEMI

安森美半导体

2N3013

Package:TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO18

ONSEMI

安森美半导体

2N3014

Package:TO-206AC,TO-52-3,金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 20V 0.2A TO52-3

ONSEMI

安森美半导体

2N3016

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N301

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    AD149,AD166,AUY19,AUY20,2N1539,2N1544,2N2143,2N2144,2N2145,2N2146,2N3614,3AD50A,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    50

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    5000mW

  • Maximum DC Collector Current:

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    50V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@0.5mA@1mAV

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

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