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2N2907AUBP/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SMALL-SIGNAL BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N2907	文件：52.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistors DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-18metalpackage. NPNcomplements:2N2222and2N2222A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N2907	文件：233.7 Kbytes Page：4 Pages	1.8WPNPGENERALPURPOSESAMLLSIGNALTRANSISTORS 1.8WPNPGENERALPURPOSESAMLLSIGNALTRANSISTORS ThesetransistoraresiliconplanarpitaxialpnpdevicesconformingtoJEDECTO-18,BSSO-132AandIECC7/B11outlines. Theyaredesignedforhighspeedsaturatedswitchingandgeneralpurposeapplication.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N2907	文件：31.65 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C2907AGeometry0600PolarityPNP Chiptype2C2907AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features:Radiationgraphsavailable	Semicoa SEMICOA	Semicoa
2N2907	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
2N2907	文件：231.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS THE2N2907,2N2907A,PN2907,PN2907AAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORGENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDMEDIUMSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N2907	文件：11.21 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2907	文件：78 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPTRANSISTOR DESCRIPTION The2N2907AisDesignedforGeneralPurposeAmplifierandSwitchingApplications.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
2N2907	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2907	文件：63.39 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDSWITCHES DESCRIPTION The2N2905and2N2907aresiliconplanarepitaxialPNPtransistorsinJedecTO-39(for2N2905)andinJedecTO-18(for2N2907)metalcase.Theyaredesignedforhighspeedsaturatedswitchingandgeneralpurposeapplication. 2N2905approvedtoCECC50002-102, 2N2907approvedto	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N2907	文件：187.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N2907	文件：157.67 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N2907and2N2907aAarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N2907	文件：459.29 Kbytes Page：3 Pages	PNPSwitchingTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N2907	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N2907	文件：415.43 Kbytes Page：3 Pages	PNPSwitchingTransistors Features •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N2907	文件：224.67 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountQuadPNPTransistor Description: The2N6987U(TX,TXV)isahermeƟcallysealed,ceramicsurface‐mountdevice,consisƟngof4siliconPNPtransistors.The20pinceramicpackageisidealfordesignswhereboardspaceanddeviceweightareimportantdesignconsideraƟons. Features: •Ceramic20pinsurfacemount	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N2907	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N2907	文件：1.27345 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowLeakagecurrent,Lowcollectorsaturationvoltage. Applications Generalamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N2907	文件：250.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintoonegroupaccordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypetheNPNtransistorST2N2222andST2N2222Aarerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanu	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N2907	文件：150.36 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERSTRANSISTORS GENERALPURPOSEAMPLIFIERSTRANSISTORS The2N2907and2N2907AarePNPtransistorsmountedinTO-18metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyareprimarilyintendedforhighspeedswitching. NPNcomplementsare2N2222and2N2222A. CompliancetoRoHS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

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产品属性

产品编号：
2N2907AUBP/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/291
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
UB
描述：
SMALL-SIGNAL BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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