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2N2919

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355

文件:304.78 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2919

Dual Transistors

Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)

文件:52.73 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N2919

Silicon NPN Transistor

Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E • JAN level (2N2919J) • JANTX level (2N2919JX) • JANTXV level (2N2919JV) • JANS level (2N2919JS) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MIL-STD-750 method 2072 for JANT

文件:208.34 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

2N2919

DIFFERENTIAL AMPLIFIER AND DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

Differential Amplifier and Dual NPN Silicon Transistor

文件:133.45 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2919

DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE

文件:28.4 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N2919

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

文件:293.53 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2919

DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE

文件:45.59 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N2919

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N2919

Package:TO-78-6 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

CENTRAL

2N2919

Package:TO-78-6 金属罐;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N2919(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-NPN

  • 性质:

    差分放大器射极输出 (Dual)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    0.03A

  • 最大工作频率:

    >60MHZ

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

    BFW39,BFW40,BFY81,BFY91,BFY92,2N2639,2N2640,2N2642,2N2643,2N2644,3DG110CX2,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-52

  • vtest:

    45

  • htest:

    60000100

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0

产品属性

  • 产品编号:

    2N2919

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    60V

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10µA,5V

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-78-6 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N2919供应商 更新时间2026-4-18 16:04:00