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2N2919中文资料PDF规格书

2N2919
厂商型号

2N2919

参数属性

2N2919 封装/外壳为TO-78-6 金属罐;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列;产品描述:TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

功能描述

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

文件大小

304.78 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-25 22:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N2919(A)

  • 别名:

    2N2919三极管、2N2919晶体管、2N2919晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-NPN

  • 性质:

    差分放大器射极输出 (Dual)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    0.03A

  • 最大工作频率:

    >60MHZ

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

    BFW39,BFW40,BFY81,BFY91,BFY92,2N2639,2N2640,2N2642,2N2643,2N2644,3DG110CX2,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-52

  • vtest:

    45

  • htest:

    60000100

  • atest:

    .03

  • wtest:

    0

2N2919规格书详情

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /355

产品属性

  • 产品编号:

    2N2919

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    60V

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10µA,5V

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-78-6 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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