2N2918分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N2918 |
| 参数属性 | 2N2918 封装/外壳为TO-78-6 金属罐；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 |
| 功能描述 | Dual Transistors |
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 文件大小 |
52.73 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | Central |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 20:00:00 |
| 人工找货 | 2N2918价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N2918规格书详情
2N2918属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由美国中央半导体制造生产的2N2918晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)
产品属性
更多- 产品编号：
2N2918
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
45V
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10µA，5V
- 功率 - 最大值：
600mW
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-78-6
- 描述：
TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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