2N2907分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	2N2907
参数属性	2N2907 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.6A TO18
功能描述	1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS TRANS PNP 40V 0.6A TO18
封装外壳	TO-206AA，TO-18-3 金属罐
文件大小	233.7 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-20 11:26:00
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2N2907规格书详情

2N2907属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的2N2907晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

1.8W PNP GENERAL PURPOSE SAMLL SIGNAL TRANSISTORS

These transistor are silicon planar pitaxial pnp devices conforming to JEDEC TO-18, BS SO-132A and IEC C7/B11 outlines.

They are designed for high speed saturated switching and general purpose application.

产品属性

产品编号：
2N2907
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO18

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