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2N2906A_1	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N2906ACSM	文件：162.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 文件：162.76 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2906ADCSM	文件：15.06 Kbytes Page：1 Pages	Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed 文件：15.06 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2906AJ.TX.V	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches 文件：777.48 Kbytes 页数：12 Pages	RAYTHEON 雷神	RAYTHEON
2N2906AL	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N2906AUA	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N2906AUB	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N2906AUBC	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N2906A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Switching -60V, -0.6A This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, switching 2N2906A and 2N2907A transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type, and two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for ea The device package outlines for the encapsulated device types are as follows: Three terminal round metal can TO-206AA (formerly TO-18), four terminal surface mount device (SMD) package and three or four terminal SMD package.;	Microchip 微芯科技	Microchip
2N2906A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
2N2906A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC528,BC638,BSW24,BSV47,BSV48,2N3485A,2N4026,2N4027,2N4028,2N4029,3DK9D,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β=120
图片代号：
D-8
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N2906A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A TO18

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