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2N2906AUBC	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2906CSM	文件：14.88 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2906DCSM	文件：15.05 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2906E	文件：21.86 Kbytes Page：1 Pages	LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N2906E	文件：51.3 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacita	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N2906J.TX.V	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2906U	文件：54.34 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
JAN2N2906A	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N2906AL	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N2906AUA	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
2N2906AUBC
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
RADIATION HARDENED

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N2906AUBC供应商更新时间2025-5-28 10:15:00

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