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2N1920	文件：144.85 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS LOW AND HIGH LEVEL CHOPPING LOW JUNCTION CAPACITANCE 文件：144.85 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1921	文件：144.85 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS LOW AND HIGH LEVEL CHOPPING LOW JUNCTION CAPACITANCE 文件：144.85 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1922	文件：144.85 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS LOW AND HIGH LEVEL CHOPPING LOW JUNCTION CAPACITANCE 文件：144.85 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1924	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1924	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N1925	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N1925	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1926	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI

晶体管资料

型号：
2N192
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,AC152,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=90
图片代号：
C-37
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Power Dissipation：
125000mW
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1mA@10mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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