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2N1920	文件：144.85 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS LOW AND HIGH LEVEL CHOPPING LOW JUNCTION CAPACITANCE 文件：144.85 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1920	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin TO-61	NJS 新泽西半导体	NJS
2N2646	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-18	NO 上传：深圳亿达电子经营部	NO
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2N2907A	文件：0 bytes Page：0 Pages		RAY 上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	RAY

晶体管资料

型号：
2N1920
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
CHOPPER
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3CG110C,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.25

技术参数

Maximum Power Dissipation：
125000mW
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1mA@10mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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