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2N1711

NPN medium power transistor

DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaTO-39metalpackage. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.50V). APPLICATIONS •DCandwidebandamplifiers.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

2N1711

SWITCHES AND UNIVERSAL AMPLIFIERS

DESCRIPTION The2N1613and2N1711aresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39metalcase.Theyaredesignedforuseinhigh-performanceamplifier,oscillatorandswitchingcircuits. The2N1711isalsousedtoadvantageinamplifierswherelownoiseisanimportantfactor.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

2N1711

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON)

GENERALPURPOSETRANSISTOR(NPNSILICON)

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

2N1711

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON

GENERALPURPOSETRANSISTOR(NPNSILICON)

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

2N1711

NPN LISICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

THE2N1613AND2N1711ARENPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSDESIGNEDFORSWITCHINGANDD.C.AMPLIFIERS.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

2N1711

Small Signal Transistors

SmallSignalTransistorsTO-39Case

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

2N1711

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

NPNLOWPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/225

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

2N1711

EPITAXIAL PLANAR NPN

DESCRIPTION The2N1613and2N1711aresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39metalcase.Theyaredesignedforuseinhigh-performanceamplifier,oscillatorandswitchingcircuits. The2N1711isalsousedtoadvantageinamplifierswherelownoiseisanimportantfactor.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

2N1711

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS The2N1613and2N1711areNPNtransistorsmountedinTO-39metalpackagewiththecollectorconnectedtothecase. Theyaredesignedforuseinhigh-performanceamplifier,oscillatorandswitchingcircuits. The2N1711isalsousedtoadvantageinamplifiers

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N1711

SILICON PLANAR NPN BIPOLAR TRANSISTOR

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39MetalPackage. BipolarNPNDevice. VCEO=50V IC=0.5A

TTELECTT Electronics.

梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC

2N1711

SILICON NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N1711isasiliconNPNepitaxialplanartransistordesignedforsmallsignalgeneralpurposeswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N1711

NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

NPNSILICONPLANARTRANSISTOR GeneralPurposeTransistor

CDIL

CDIL

CDIL

2N1711

Diode TP-39

DiodeTP-39

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N1711

Quality Semi-Conductors

PowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N1711

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

2N1711

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N1711

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

2N1711

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N1711

包装:剪切带(CT)带盒(TB) 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 0.5A TO39

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

2N1711

包装:散装 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 0.5A TO5

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

晶体管资料

  • 型号:

    2N1711(A,L)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    75V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >70MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC140,BC141,BC301,BFX68,BFX69,BSS42,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    75

  • htest:

    70001000

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    2N1711

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 100mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.5A TO39

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
2021+
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Microchip Technology
23+
TO-205AA,TO-5-3 金属罐
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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NA
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TO-39
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更多2N1711供应商 更新时间2024-4-24 16:00:00