2ED314xMC12L (2ED-X3 Compact) Dual-channel isolated gate driver IC with dead-time control

Features • Dual-channel isolated gate driver • For use with 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si and SiC MOSFETs • Up to 6.5 A typical peak output current • 39 ns propagation delay with 5 ns channel-to-channel delay mismatch (skew) • 35 V absolute maximum output supply voltage • High c

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Infineon

英飞凌

6.5 A、5.7 kV (rms) 双通道隔离栅极驱动器，带死区时间控制，经 UL 1577 认证，8.5 V UVLO

• 适用于 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT、Si 和 SiC MOSFET\n• 电气隔离无芯变压器栅极驱动器\n• 39 纳秒传播延迟\n• 高共模瞬变抗扰度 CMTI > 200 kV/µs\n• 3.3V 和 5 V 输入电源电压\n• 禁用引脚开关输出关闭\n• 8.5具有滞后的 V/9.3 V 欠压锁定 (UVLO) 保护;

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DIP

HW

汉威光电

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SOP8

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14-DSO

Infineon

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