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2EDB8259F	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B8259B；Package：DSO16-150mil；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259F_V01	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259FXUMA1	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B8259B；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259K	文件：3.73739 Mbytes Page：30 Pages	EiceDRIVER™ 2EDBx259K Dual-channel isolated gate-driver ICs in LGA package Features • 2-channel isolated gate driver for Si MOSFETs • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/ sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：3.73739 Mbytes 页数：30 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259Y	文件：3.97905 Mbytes Page：32 Pages	EiceDRIVER™ 2EDB8259F, 2EDBx259Y Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：3.97905 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259Y	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B8259B；Package：DSO14-150mil；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB8259YXUMA1	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B8259B；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB9259Y	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B9259B；Package：DSO14-150mil；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB9259Y	文件：3.97905 Mbytes Page：32 Pages	EiceDRIVER™ 2EDB8259F, 2EDBx259Y Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：3.97905 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDB9259YXUMA1	文件：4.28606 Mbytes Page：32 Pages	丝印：2B9259B；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B 文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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技术参数

VDSS (V)：
20
VGS(V)：
12
ID (A) @TA：
8
VGSth Min (V)：
0.4
VGSth Max (V)：
1
td(on) (ns)：
250
td(off) (ns)：
3950
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
22
VGS/IDS (V)/(A)：
4.5/4
Package：
DFN2020-6S
Polarity：
N-Channel(with ESD)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	LN2322EDT2AG	TI/德州仪器	25+	DFN2x2	20300	TI/德州仪器原装特价LN2322EDT2AG即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	LN2322LT1G	ON/安森美	24+	SOT-23	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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