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2DA2018-7	文件：127.02 Kbytes Page：5 Pages	12V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) Applications •DC-DCConverter •PortableEquipments •PowerManagementUnit	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2DA2018-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-523；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 0.5A SOT523	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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2DA2018-7

文件：127.02 Kbytes

Page：5 Pages

12V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •LowCollector-EmitterSaturationVoltage,VCE(sat) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) Applications •DC-DCConverter •PortableEquipments •PowerManagementUnit

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

2DA2018-7

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：SOT-523；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 0.5A SOT523

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
2DA2018-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
270 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
260MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-523
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS PNP 12V 0.5A SOT523

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