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25N10	文件：135.13 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 25N10 is an N-channel enhancement mode power MOSFET and it uses UTC’s perfect technology to provide designers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. It is generally suitable for all commercial-industrial applications and D 文件：135.13 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
25N10	文件：320.97 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：320.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
25N10	文件：1.73036 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.73036 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
25N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH) The UTC 25N10 is an N-channel enhancement mode power MOSFET and it uses UTC’s perfect technology to provide designers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. It is generally suitable for all commercial-industrial applications and DC/DC converters requ • Single Drive Requirement \n• Low Gate Charge \n• RoHS Compliant;	UTC 友顺	UTC
25N10G-TN3-R	文件：135.13 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 25N10 is an N-channel enhancement mode power MOSFET and it uses UTC’s perfect technology to provide designers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. It is generally suitable for all commercial-industrial applications and D 文件：135.13 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
25N10L-TN3-R	文件：135.13 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 25N10 is an N-channel enhancement mode power MOSFET and it uses UTC’s perfect technology to provide designers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. It is generally suitable for all commercial-industrial applications and D 文件：135.13 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
25N10_15	文件：233.23 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：233.23 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
25N102K	文件：320.69 Kbytes Page：5 Pages	Metal Oxide Varistors Data Sheet 文件：320.69 Kbytes 页数：5 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
25N10F7	文件：983.97 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：983.97 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
25N10GH-HF	文件：982.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：982.95 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
23
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
80
CISSTYP.(pF)：
762
COSSTYP.(pF)：
196
CRSSTYP.(pF)：
22
QgTYP.(nC)：
28.5
QgsTYP.(nC)：
6
QgdTYP.(nC)：
7.5
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
TrrTYP.(nS)：
96
QrrTYP.(nC)：
342
Package：
TO-251_TO-252_TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2

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