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2530	文件：779.36 Kbytes Page：14 Pages	型号：CSD25310Q2；Package：WSON；20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
2530	文件：779.36 Kbytes Page：14 Pages	型号：CSD25310Q2T；Package：WSON；20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
25304	文件：476.64 Kbytes Page：11 Pages	型号：CSD25304W1015；Package：DSBGA；CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •SmallFootprint •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree •CSP1×1.5mmWaferLevelPackage 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This27mΩ,–20V,P-Channeldevice	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
25304	文件：476.64 Kbytes Page：11 Pages	型号：CSD25304W1015.B；Package：DSBGA；CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •SmallFootprint •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree •CSP1×1.5mmWaferLevelPackage 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This27mΩ,–20V,P-Channeldevice	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
25304	文件：476.64 Kbytes Page：11 Pages	型号：CSD25304W1015T；Package：DSBGA；CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •SmallFootprint •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree •CSP1×1.5mmWaferLevelPackage 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This27mΩ,–20V,P-Channeldevice	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
25304	文件：476.64 Kbytes Page：11 Pages	型号：CSD25304W1015T.B；Package：DSBGA；CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Ultra-LowQgandQgd •SmallFootprint •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree •CSP1×1.5mmWaferLevelPackage 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This27mΩ,–20V,P-Channeldevice	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
2530C04L	文件：1.1634 Mbytes Page：18 Pages	型号：ISA250300C04LMDS；Package：PG-DSO-8；MOSFET OptiMOS™ 3 Power‑Transistors, 40 V Features •ComplementaryN‑andP‑channel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	CSD25310Q2	TI	21+	WSON6	100000	FET类型 P-CH 漏源电压 20V 连续漏极电流 20A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8\|4.5V 源漏开态电阻 23.9mOhm Vgs(th) 1.1 V Gate Charge (Qg) 4.7nC Vgs (Max) 8V Input Capacitance (Ciss) 655pF 消耗电力 2.9W 动作温度范围 -55 to 150C	询价
深圳市旺财半导体有限公司	CSD25310Q2	TI	23+	DFN22	66800	原装现货库存 ;QQ:373621633 3616872778	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	CSD25310Q2	CCSEMI	19+	DFN2X2-6	9000		询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD25310Q2	TI/德州仪器	22+	WSON6	51000	原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD25310Q2	TI/德州仪器	25+	SON6	32000	TI/德州仪器全新特价CSD25310Q2即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	CSD25310Q2	TI	16+	WSON6	32500	全新原装现货供应2	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	CSD25310Q2	TI	23+	WSON6	280000		询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	CSD25310Q2	TI	24+	DFN22	15000	一级代理分销/现货/可长期供应!!	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	CSD25310Q2	TI/德州仪器	23+	WSON6	18204	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市昊创电子有限公司	CSD25310Q2	TI	2021+	QFN22	9450	原装现货。	询价

更多2530供应商更新时间2025-8-4 15:11:00

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